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Información Básica.
Descripción de Producto
| Atributo de producto | Valor de atributo | Seleccione atributo |
|---|---|---|
| Fabricante: | Infineon | |
| Categoría de producto: | MOSFET | |
| RoHS: | Detalles | |
| Tecnología: | Si | |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT | |
| Paquete/caja: | D2PAK-3 (TO-263-3) | |
| Polaridad de transistor: | Canal N. | |
| Número de canales: | 1 canales | |
| VDS - tensión de ruptura de la fuente de drenaje: | 40 V | |
| ID - corriente de drenaje continua: | 100 A | |
| RDS activado - resistencia de la fuente de drenaje: | 2,5 Mohms | |
| VGS - tensión de la fuente de la puerta: | - 20 V, + 20 V. | |
| VGS TH - tensión de umbral de fuente de puerta: | 2,1 V | |
| QG - carga de puerta: | 172 NC | |
| Temperatura de funcionamiento mínima: | - 55 C. | |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175 C | |
| PD - disipación de potencia: | 300 W | |
| Modo de canal: | Mejora | |
| Embalaje: | Carrete | |
| Embalaje: | Cortar cinta | |
| Embalaje: | MouseReel | |
| Marca: | Infineon Technologies | |
| Configuración: | Individual | |
| Tiempo de caída: | 33 ns | |
| Altura: | 4,4 mm | |
| Longitud: | 10 mm | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| Tiempo de subida: | 46 ns | |
| Cantidad de paquete de fábrica: | 1000 | |
| Subcategoría: | MOSFET | |
| Tipo de transistor: | 1 Canal N. | |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 56 ns | |
| Tiempo de retardo de encendido típico: | 27 ns | |
| Anchura: | 9,25 mm | |
| N.o de pieza Alias: | SP000219061 IPB100N04S204ATMA1 |
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